货期:国内(1~3工作日)
起订量:1110
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1110 | ¥1.930632 | ¥2143.00 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 10.1 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 1.7 S
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0NDD02N60Z-1G
型号:NDD02N60Z-1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1110+: | ¥1.930632 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00