IPB180N06S4H1ATMA1
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- 制造商编号：
- IPB180N06S4H1ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：14
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 14 | ￥6.782105 | ￥94.95 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB180N06S4H1ATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.7mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
270nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
21900pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO263-7-3
封装/外壳
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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注
IPB180N06S4H1ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF
。
IPB180N06S4H1ATMA1
型号：IPB180N06S4H1ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 14+： | ￥6.782105 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00