IPI126N10N3 G
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- 制造商编号：
- IPI126N10N3 G
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：439
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 439 | ￥4.075779 | ￥1789.27 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 58 A
漏源电阻 12.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP000683072 IPI126N10N3GXKSA1
单位重量 2.387 g
IPI126N10N3 G 同类别型号
注
IPI126N10N3 G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPI126N10N3 G
数据手册PDF
。
IPI126N10N3 G
型号：IPI126N10N3 G
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 439+： | ￥4.075779 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00