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制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 -
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 337 A
耗散功率 781 W
集电极连续电流(Max) 337 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 500 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Chassis Mount
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 200 g
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0VS-GP100TS60SFPBF
型号:VS-GP100TS60SFPBF
品牌:VISHAY
供货:锐单
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