商品描述
GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
30mOhm @ 6A, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
205pF @ 50V
供应商器件封装
Die Outline (5-Solder Bar)