SI3585CDV-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI3585CDV-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.196223 | ￥3588.67 |
| 6000 | ￥1.157635 | ￥6945.81 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.1 A, 3.9 A
漏源电阻 58 mOhms, 195 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 3.2 nC, 6 nC
耗散功率 1.3 W, 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns, 28 ns
正向跨导（Min） 1 S, 12 S
上升时间 16 ns, 37 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 16 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3585CDV-GE3
单位重量 20 mg
SI3585CDV-T1-GE3 同类别型号
注
SI3585CDV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI3585CDV-T1-GE3
数据手册PDF。
SI3585CDV-T1-GE3
型号：SI3585CDV-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.196223 |
| 6000+： | ￥1.157635 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00