货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.548693 | ¥6.55 |
10 | ¥5.560211 | ¥55.60 |
25 | ¥5.18953 | ¥129.74 |
100 | ¥3.855079 | ¥385.51 |
250 | ¥3.662326 | ¥915.58 |
500 | ¥3.009928 | ¥1504.96 |
1000 | ¥2.446493 | ¥2446.49 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.3 A
漏源电阻 24 mOhms, 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.6 ns, 5.6 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 16.5 ns, 16.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.1 ns, 26.1 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns, 4.8 ns
高度 0.8 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 10 mg
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0DMN3016LDN-7
型号:DMN3016LDN-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.548693 |
10+: | ¥5.560211 |
25+: | ¥5.18953 |
100+: | ¥3.855079 |
250+: | ¥3.662326 |
500+: | ¥3.009928 |
1000+: | ¥2.446493 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.55