QS8J11TCR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 3.5 A

漏源电阻 31 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 22 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 60 ns

上升时间 30 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 170 ns

典型接通延迟时间 15 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 QS8J11

单位重量 10 mg