ECH8657-TL-H
库存 ：4473
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.637848 | ￥9.64 |
| 10 | ￥8.337503 | ￥83.38 |
| 100 | ￥5.77047 | ￥577.05 |
| 500 | ￥4.821983 | ￥2410.99 |
| 1000 | ￥4.103888 | ￥4103.89 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 35 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 59 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 19.450 mg
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注
ECH8657-TL-H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
ECH8657-TL-H
型号：ECH8657-TL-H
品牌：ON
供货：锐单
库存：4473 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.637848 |
| 10+： | ￥8.337503 |
| 100+： | ￥5.77047 |
| 500+： | ￥4.821983 |
| 1000+： | ￥4.103888 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.64