NTHD4508NT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.946471 | ￥8839.41 |
| 6000 | ￥2.799148 | ￥16794.89 |
| 15000 | ￥2.693916 | ￥40408.74 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 4 nC
耗散功率 1.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 6 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.05 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 85 mg
NTHD4508NT1G 同类别型号
注
NTHD4508NT1G
型号：NTHD4508NT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.946471 |
| 6000+： | ￥2.799148 |
| 15000+： | ￥2.693916 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00