CSD83325L
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：38
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 38 | ￥2.582844 | ￥98.15 |
| 50 | ￥2.066308 | ￥103.32 |
| 100 | ￥2.066308 | ￥206.63 |
| 300 | ￥1.808041 | ￥542.41 |
| 500 | ￥1.721952 | ￥860.98 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 11.9 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 10.9 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 589 ns
正向跨导（Min） 36 S
上升时间 353 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 711 ns
典型接通延迟时间 205 ns
外形参数
高度 0.2 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.500 mg
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注
CSD83325L品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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、CSD83325L
数据手册PDF
。
CSD83325L
型号：CSD83325L
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 38+： | ￥2.582844 |
| 50+： | ￥2.066308 |
| 100+： | ￥2.066308 |
| 300+： | ￥1.808041 |
| 500+： | ￥1.721952 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00