CSD83325L
库存 ：2090
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.227217 | ￥7.23 |
| 10 | ￥6.39235 | ￥63.92 |
| 25 | ￥6.011052 | ￥150.28 |
| 100 | ￥4.903294 | ￥490.33 |
| 250 | ￥4.555141 | ￥1138.79 |
| 500 | ￥3.876529 | ￥1938.26 |
| 1000 | ￥3.101224 | ￥3101.22 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 11.9 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 10.9 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 589 ns
正向跨导（Min） 36 S
上升时间 353 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 711 ns
典型接通延迟时间 205 ns
外形参数
高度 0.2 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.500 mg
CSD83325L 同类别型号
注
CSD83325L品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD83325L
数据手册PDF
。
CSD83325L
型号：CSD83325L
品牌：TI
供货：锐单
库存：2090 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.227217 |
| 10+： | ￥6.39235 |
| 25+： | ￥6.011052 |
| 100+： | ￥4.903294 |
| 250+： | ￥4.555141 |
| 500+： | ￥3.876529 |
| 1000+： | ￥3.101224 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.23