SI1900DL-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI1900DL-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.04963 | ￥7.05 |
| 10 | ￥6.055747 | ￥60.56 |
| 100 | ￥4.518697 | ￥451.87 |
| 500 | ￥3.550702 | ￥1775.35 |
| 1000 | ￥2.743577 | ￥2743.58 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 480 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 0.75 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
SI1900DL-T1-GE3 同类别型号
注
SI1900DL-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI1900DL-T1-GE3
数据手册PDF。
SI1900DL-T1-GE3
型号：SI1900DL-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.04963 |
| 10+： | ￥6.055747 |
| 100+： | ￥4.518697 |
| 500+： | ￥3.550702 |
| 1000+： | ￥2.743577 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.05