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起订量:3000
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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.563875 | ¥4691.63 |
6000 | ¥1.481525 | ¥8889.15 |
9000 | ¥1.371796 | ¥12346.16 |
30000 | ¥1.358213 | ¥40746.39 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V, 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV, 2 V
栅极电荷 1.6 nC, 3 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns, 12 ns
上升时间 18 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 10 ns
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 QS6M4
单位重量 14 mg
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0QS6M4TR
型号:QS6M4TR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.563875 |
6000+: | ¥1.481525 |
9000+: | ¥1.371796 |
30000+: | ¥1.358213 |
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