QS6M4TR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V, 20 V

漏极电流 1.5 A

漏源电阻 260 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 500 mV, 2 V

栅极电荷 1.6 nC, 3 nC

耗散功率 1.25 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 18 ns, 12 ns

上升时间 18 ns, 12 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 15 ns, 45 ns

典型接通延迟时间 7 ns, 10 ns

高度 0.85 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

零件号别名 QS6M4

单位重量 14 mg