DMN2023UCB4-7
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- 制造商编号：
- DMN2023UCB4-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
- 渠道：
- digikey
库存 ：2645
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.3752 | ￥6.38 |
| 10 | ￥5.199328 | ￥51.99 |
| 100 | ￥3.536112 | ￥353.61 |
| 500 | ￥2.652083 | ￥1326.04 |
| 1000 | ￥1.989063 | ￥1989.06 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 1.45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
DMN2023UCB4-7 同类别型号
注
DMN2023UCB4-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN2023UCB4-7
数据手册PDF
。
DMN2023UCB4-7
型号：DMN2023UCB4-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：2645 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.3752 |
| 10+： | ￥5.199328 |
| 100+： | ￥3.536112 |
| 500+： | ￥2.652083 |
| 1000+： | ￥1.989063 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.38