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DMN2023UCB4-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN2023UCB4-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:50

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
50 3.689064 184.45
100 3.001183 300.12
187 2.771999 518.36
375 2.521846 945.69
750 2.230082 1672.56
3000 2.105088 6315.26

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 24 V

漏极电流 6 A

漏源电阻 27 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.3 V

栅极电荷 29 nC

耗散功率 1.45 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 29 ns

上升时间 20 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 75 ns

典型接通延迟时间 10 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 1 mg

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DMN2023UCB4-7

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型号:DMN2023UCB4-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

50+: ¥3.689064
100+: ¥3.001183
187+: ¥2.771999
375+: ¥2.521846
750+: ¥2.230082
3000+: ¥2.105088

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