QH8K22TCR
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.244091 | ￥9732.27 |
| 6000 | ￥3.02036 | ￥18122.16 |
| 15000 | ￥2.908495 | ￥43627.42 |
| 30000 | ￥2.833919 | ￥85017.57 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.6 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns
上升时间 2.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8K22
单位重量 10 mg
QH8K22TCR 同类别型号
注
QH8K22TCR
型号：QH8K22TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.244091 |
| 6000+： | ￥3.02036 |
| 15000+： | ￥2.908495 |
| 30000+： | ￥2.833919 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00