货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.429421 | ¥8.43 |
| 10 | ¥7.272163 | ¥72.72 |
| 100 | ¥5.031935 | ¥503.19 |
| 500 | ¥4.204995 | ¥2102.50 |
| 1000 | ¥3.578648 | ¥3578.65 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 7.6 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US6J12
单位重量 7.500 mg
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0US6J12TCR
型号:US6J12TCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.429421 |
| 10+: | ¥7.272163 |
| 100+: | ¥5.031935 |
| 500+: | ¥4.204995 |
| 1000+: | ¥3.578648 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.43