US6J12TCR
库存 ：2838
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.351824 | ￥7.35 |
| 10 | ￥6.342506 | ￥63.43 |
| 100 | ￥4.388665 | ￥438.87 |
| 500 | ￥3.667439 | ￥1833.72 |
| 1000 | ￥3.121162 | ￥3121.16 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 7.6 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 US6J12
单位重量 7.500 mg
US6J12TCR 同类别型号
注
US6J12TCR
型号：US6J12TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2838 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.351824 |
| 10+： | ￥6.342506 |
| 100+： | ￥4.388665 |
| 500+： | ￥3.667439 |
| 1000+： | ￥3.121162 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.35