QS6K21TR
库存 ：2389
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.413614 | ￥7.41 |
| 10 | ￥6.350996 | ￥63.51 |
| 25 | ￥5.925949 | ￥148.15 |
| 100 | ￥4.401216 | ￥440.12 |
| 250 | ￥4.181279 | ￥1045.32 |
| 500 | ￥3.436458 | ￥1718.23 |
| 1000 | ￥2.793079 | ￥2793.08 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 420 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS6K21
单位重量 116.875 mg
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注
QS6K21TR
型号：QS6K21TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2389 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.413614 |
| 10+： | ￥6.350996 |
| 25+： | ￥5.925949 |
| 100+： | ￥4.401216 |
| 250+： | ￥4.181279 |
| 500+： | ￥3.436458 |
| 1000+： | ￥2.793079 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.41