QS6K21TR
库存 ：4993
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.001898 | ￥15.00 |
| 10 | ￥9.349668 | ￥93.50 |
| 100 | ￥6.097743 | ￥609.77 |
| 500 | ￥4.697564 | ￥2348.78 |
| 1000 | ￥4.246144 | ￥4246.14 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 420 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS6K21
单位重量 116.875 mg
QS6K21TR 同类别型号
注
QS6K21TR
型号：QS6K21TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：4993 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.001898 |
| 10+： | ￥9.349668 |
| 100+： | ￥6.097743 |
| 500+： | ￥4.697564 |
| 1000+： | ￥4.246144 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.00