HS8K11TB

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 7 A, 11 A

漏源电阻 12.8 mOhms, 10.2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 11.1 nC, 20.2 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 5.1 ns, 7.5 ns

上升时间 10.8 ns, 15 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 26.8 ns, 47.3 ns

典型接通延迟时间 9.4 ns, 13.6 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 HS8K11