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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 56 mOhms, 56 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3 nC
耗散功率 2.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.5 ns, 3.5 ns
正向跨导(Min) 1.7 S, 1.7 S
上升时间 7.5 ns, 7.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns, 10 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8KA1
单位重量 10 mg
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0QH8KA1TCR
型号:QH8KA1TCR
品牌:ROHM
供货:锐单
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