QS6J1TR
库存 ：1926
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.64194 | ￥8.64 |
| 10 | ￥7.381066 | ￥73.81 |
| 25 | ￥6.890884 | ￥172.27 |
| 100 | ￥5.119995 | ￥512.00 |
| 250 | ￥4.863854 | ￥1215.96 |
| 500 | ￥3.997675 | ￥1998.84 |
| 1000 | ￥3.249228 | ￥3249.23 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 310 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 3 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 QS6J1
QS6J1TR 同类别型号
注
QS6J1TR
型号：QS6J1TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1926 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.64194 |
| 10+： | ￥7.381066 |
| 25+： | ￥6.890884 |
| 100+： | ￥5.119995 |
| 250+： | ￥4.863854 |
| 500+： | ￥3.997675 |
| 1000+： | ￥3.249228 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.64