SIA929DJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA929DJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.442713 | ￥10328.14 |
| 6000 | ￥3.098442 | ￥18590.65 |
| 15000 | ￥2.868927 | ￥43033.90 |
| 30000 | ￥2.823025 | ￥84690.75 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 52 mOhms, 52 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 10 S, 10 S
上升时间 18 ns, 18 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 22 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA929DJ-GE3
单位重量 28 mg
SIA929DJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA929DJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIA929DJ-T1-GE3
数据手册PDF。
SIA929DJ-T1-GE3
型号：SIA929DJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.442713 |
| 6000+： | ￥3.098442 |
| 15000+： | ￥2.868927 |
| 30000+： | ￥2.823025 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00