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SIA929DJ-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIA929DJ-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
渠道:
digikey

库存 :1770

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.537175 7.54
10 6.610472 66.10
25 6.207666 155.19
100 4.50377 450.38
250 4.343884 1085.97
500 3.763151 1881.58
1000 3.202681 3202.68

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 4.5 A

漏源电阻 52 mOhms, 52 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.1 V

栅极电荷 21 nC

耗散功率 7.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 10 ns, 10 ns

正向跨导(Min) 10 S, 10 S

上升时间 18 ns, 18 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 22 ns, 22 ns

典型接通延迟时间 15 ns, 15 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIA929DJ-GE3

单位重量 28 mg

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型号:SIA929DJ-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:1770 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥7.537175
10+: ¥6.610472
25+: ¥6.207666
100+: ¥4.50377
250+: ¥4.343884
500+: ¥3.763151
1000+: ¥3.202681

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