SIA923EDJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA923EDJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：2940
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.286312 | ￥8.29 |
| 10 | ￥7.280117 | ￥72.80 |
| 100 | ￥5.579056 | ￥557.91 |
| 500 | ￥4.410685 | ￥2205.34 |
| 1000 | ￥3.52855 | ￥3528.55 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 44 mOhms, 44 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 11 S, 11 S
上升时间 16 ns, 16 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 15 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA923EDJ-GE3
单位重量 28 mg
SIA923EDJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA923EDJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIA923EDJ-T1-GE3
数据手册PDF。
SIA923EDJ-T1-GE3
型号：SIA923EDJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2940 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.286312 |
| 10+： | ￥7.280117 |
| 100+： | ￥5.579056 |
| 500+： | ￥4.410685 |
| 1000+： | ￥3.52855 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.29