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SIA923EDJ-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIA923EDJ-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
渠道:
digikey

库存 :2940

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 9.500883 9.50
10 8.347205 83.47
100 6.396808 639.68
500 5.057184 2528.59
1000 4.045748 4045.75

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 4.5 A

漏源电阻 44 mOhms, 44 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1.4 V

栅极电荷 25 nC

耗散功率 7.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 10 ns, 10 ns

正向跨导(Min) 11 S, 11 S

上升时间 16 ns, 16 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 30 ns, 30 ns

典型接通延迟时间 15 ns, 15 ns

外形参数

高度 0.75 mm

长度 2.05 mm

宽度 2.05 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIA923EDJ-GE3

单位重量 28 mg

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型号:SIA923EDJ-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:2940 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥9.500883
10+: ¥8.347205
100+: ¥6.396808
500+: ¥5.057184
1000+: ¥4.045748

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