FDS6930B
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥1.813185 | ￥4532.96 |
| 5000 | ￥1.688119 | ￥8440.59 |
| 12500 | ￥1.625656 | ￥20320.70 |
| 25000 | ￥1.569024 | ￥39225.60 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns
正向跨导（Min） 19 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDS6930B_NL
单位重量 187 mg
FDS6930B 同类别型号
注
FDS6930B品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDS6930B
数据手册PDF。
FDS6930B
型号：FDS6930B
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥1.813185 |
| 5000+： | ￥1.688119 |
| 12500+： | ￥1.625656 |
| 25000+： | ￥1.569024 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00