QH8KA2TCR
库存 ：2275
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.986847 | ￥8.99 |
| 10 | ￥7.81713 | ￥78.17 |
| 100 | ￥5.413506 | ￥541.35 |
| 500 | ￥4.52338 | ￥2261.69 |
| 1000 | ￥3.849652 | ￥3849.65 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 25 mOhms, 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.7 ns, 5.7 ns
正向跨导（Min） 1.4 S, 1.4 S
上升时间 8 ns, 8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns, 7.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8KA2
单位重量 10 mg
QH8KA2TCR 相关产品
QH8KA2TCR 同类别型号
注
QH8KA2TCR
型号：QH8KA2TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2275 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.986847 |
| 10+： | ￥7.81713 |
| 100+： | ￥5.413506 |
| 500+： | ￥4.52338 |
| 1000+： | ￥3.849652 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.99