SQ3985EV-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ3985EV-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：2119
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.31172 | ￥2.31 |
| 10 | ￥2.245671 | ￥22.46 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 20 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ3985EV-T1_BE3
单位重量 20 mg
SQ3985EV-T1_GE3 同类别型号
注
SQ3985EV-T1_GE3
型号：SQ3985EV-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2119 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.31172 |
| 10+： | ￥2.245671 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.31