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起订量:2500
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数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.841531 | ¥4603.83 |
5000 | ¥1.744612 | ¥8723.06 |
12500 | ¥1.615364 | ¥20192.05 |
25000 | ¥1.599342 | ¥39983.55 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.5 A, 5.5 A
漏源电阻 20 mOhms, 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2 V
栅极电荷 9.8 nC, 10.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.8 ns, 12.4 ns
正向跨导(Min) 8 S, 5 S
上升时间 4.2 ns, 4.9 ns
典型关闭延迟时间 16.6 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns, 6.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMC3025LSDQ-13
型号:DMC3025LSDQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.841531 |
5000+: | ¥1.744612 |
12500+: | ¥1.615364 |
25000+: | ¥1.599342 |
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