CSD87502Q2
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.594789 | ￥4784.37 |
| 6000 | ￥1.484866 | ￥8909.20 |
| 15000 | ￥1.429868 | ￥21448.02 |
| 30000 | ￥1.37487 | ￥41246.10 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 75 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 9.700 mg
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注
CSD87502Q2品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD87502Q2
数据手册PDF
。
CSD87502Q2
型号：CSD87502Q2
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.594789 |
| 6000+： | ￥1.484866 |
| 15000+： | ￥1.429868 |
| 30000+： | ￥1.37487 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00