CSD87502Q2
库存 ：70684
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.18654 | ￥7.19 |
| 10 | ￥6.269636 | ￥62.70 |
| 25 | ￥5.892964 | ￥147.32 |
| 100 | ￥4.808788 | ￥480.88 |
| 250 | ￥4.466558 | ￥1116.64 |
| 500 | ￥3.801185 | ￥1900.59 |
| 1000 | ￥3.040898 | ￥3040.90 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 75 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 9.700 mg
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注
CSD87502Q2品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF
。
CSD87502Q2
型号：CSD87502Q2
品牌：TI
供货：锐单
库存：70684 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.18654 |
| 10+： | ￥6.269636 |
| 25+： | ￥5.892964 |
| 100+： | ￥4.808788 |
| 250+： | ￥4.466558 |
| 500+： | ￥3.801185 |
| 1000+： | ￥3.040898 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.19