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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.04667 | ¥4.05 |
10 | ¥3.931462 | ¥39.31 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.5 A, 7 A
漏源电阻 21 mOhms, 39 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V, 2.2 V
栅极电荷 16.1 nC, 21.1 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.55 ns, 22.2 ns
正向跨导(Min) 8.1 S, 7 S
上升时间 4.5 ns, 6.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.3 ns, 50.1 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 10.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMC3021LSDQ-13
型号:DMC3021LSDQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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1+: | ¥4.04667 |
10+: | ¥3.931462 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.05