US6M2GTR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V, 20 V

漏极电流 1.5 A, 1 A

漏源电阻 170 mOhms, 280 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.5 V, 2 V

栅极电荷 1.6 nC, 2.1 nC

耗散功率 1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 6 ns, 10 ns

上升时间 9 ns, 8 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 15 ns, 25 ns

典型接通延迟时间 7 ns, 9 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET