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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.366935 | ¥4100.81 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2 V
栅极电荷 1.4 nC, 2.1 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 nS, 10 nS
正向跨导(Min) 1 S, 0.7 S
上升时间 6 nS, 8 nS
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 nS, 25 nS
典型接通延迟时间 6 nS, 9 nS
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 US6M1
单位重量 7.500 mg
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0US6M1TR
型号:US6M1TR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.366935 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00