SP8K31FRATB
库存 ：1726
货期：（7~10天）
起订量：3
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3 | ￥57.543414 | ￥172.63 |
| 20 | ￥55.041713 | ￥1100.83 |
| 50 | ￥52.539846 | ￥2626.99 |
| 100 | ￥50.037816 | ￥5003.78 |
| 300 | ￥50.037816 | ￥15011.34 |
| 500 | ￥50.037816 | ￥25018.91 |
| 1000 | ￥50.037816 | ￥50037.82 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, NPN
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.7 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP8K31FRA
单位重量 83 mg
SP8K31FRATB 同类别型号
注
SP8K31FRATB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SP8K31FRATB
数据手册PDF。
SP8K31FRATB
型号：SP8K31FRATB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1726 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3+： | ￥57.543414 |
| 20+： | ￥55.041713 |
| 50+： | ￥52.539846 |
| 100+： | ￥50.037816 |
| 300+： | ￥50.037816 |
| 500+： | ￥50.037816 |
| 1000+： | ￥50.037816 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00