ZXMC3F31DN8TA
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- 制造商编号：
- ZXMC3F31DN8TA
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 500 | ￥2.973173 | ￥1486.59 |
| 1000 | ￥2.378539 | ￥2378.54 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.3 A, 5.3 A
漏源电阻 24 mOhms, 80 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 12.9 nC, 12.7 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 21 ns
正向跨导（Min） 16.5 S, 14 S
上升时间 3.3 ns, 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns, 1.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
ZXMC3F31DN8TA 同类别型号
注
ZXMC3F31DN8TA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ZXMC3F31DN8TA
数据手册PDF
。
ZXMC3F31DN8TA
型号：ZXMC3F31DN8TA
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 500+： | ￥2.973173 |
| 1000+： | ￥2.378539 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00