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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.521901 | ¥4.52 |
10 | ¥4.406694 | ¥44.07 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.3 A, 5.3 A
漏源电阻 24 mOhms, 80 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 12.9 nC, 12.7 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 21 ns
正向跨导(Min) 16.5 S, 14 S
上升时间 3.3 ns, 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns, 1.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMC3F31DN8TA
型号:ZXMC3F31DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
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1+: | ¥4.521901 |
10+: | ¥4.406694 |
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单价:¥0.00总价:¥4.52