货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.973535 | ¥5920.61 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3 A, 2 A
漏源电阻 112 mOhms, 210 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 4 nC, 7.2 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 10 ns
上升时间 15 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8M31
单位重量 10 mg
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0QS8M31TR
型号:QS8M31TR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.973535 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00