QS8M31TR
库存 ：2989
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.525657 | ￥8.53 |
| 10 | ￥7.500107 | ￥75.00 |
| 25 | ￥7.047876 | ￥176.20 |
| 100 | ￥5.115394 | ￥511.54 |
| 250 | ￥4.933512 | ￥1233.38 |
| 500 | ￥4.274196 | ￥2137.10 |
| 1000 | ￥3.637613 | ￥3637.61 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3 A, 2 A
漏源电阻 112 mOhms, 210 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 4 nC, 7.2 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 10 ns
上升时间 15 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8M31
单位重量 10 mg
QS8M31TR 同类别型号
注
QS8M31TR
型号：QS8M31TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2989 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.525657 |
| 10+： | ￥7.500107 |
| 25+： | ￥7.047876 |
| 100+： | ￥5.115394 |
| 250+： | ￥4.933512 |
| 500+： | ￥4.274196 |
| 1000+： | ￥3.637613 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.53