SH8K26GZ0TB
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥2.121336 | ￥5303.34 |
| 5000 | ￥1.994986 | ￥9974.93 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8K26
单位重量 83 mg
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注
SH8K26GZ0TB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8K26GZ0TB
数据手册PDF。
SH8K26GZ0TB
型号：SH8K26GZ0TB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥2.121336 |
| 5000+： | ￥1.994986 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00