EFC8811R-TF
库存 ：10000
货期：（7~10天）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥4.839533 | ￥24197.67 |
| 10000 | ￥4.616266 | ￥46162.66 |
| 25000 | ￥4.467337 | ￥111683.42 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 6.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 100 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17.7 us
上升时间 570 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 us
典型接通延迟时间 80 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 60 mg
EFC8811R-TF 同类别型号
注
EFC8811R-TF品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EFC8811R-TF
数据手册PDF。
EFC8811R-TF
型号：EFC8811R-TF
品牌：ON
供货：锐单
库存：10000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥4.839533 |
| 10000+： | ￥4.616266 |
| 25000+： | ￥4.467337 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00