QS8J13TR
库存 ：2700
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.858698 | ￥11.86 |
| 10 | ￥10.229915 | ￥102.30 |
| 100 | ￥7.078072 | ￥707.81 |
| 500 | ￥5.914205 | ￥2957.10 |
| 1000 | ￥5.033375 | ￥5033.38 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 200 ns
正向跨导（Min） 8.5 S
上升时间 100 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 400 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8J13
单位重量 10 mg
QS8J13TR 同类别型号
注
QS8J13TR
型号：QS8J13TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2700 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.858698 |
| 10+： | ￥10.229915 |
| 100+： | ￥7.078072 |
| 500+： | ￥5.914205 |
| 1000+： | ￥5.033375 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.86