SP8M6FRATB
库存 ：2470
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.050347 | ￥11.05 |
| 10 | ￥9.775307 | ￥97.75 |
| 100 | ￥7.491568 | ￥749.16 |
| 500 | ￥5.921852 | ￥2960.93 |
| 1000 | ￥4.737481 | ￥4737.48 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A, 3.5 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.9 nC, 5.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 10 ns
上升时间 8 ns, 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP8M6FRA
单位重量 83 mg
SP8M6FRATB 同类别型号
注
SP8M6FRATB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SP8M6FRATB
数据手册PDF。
SP8M6FRATB
型号：SP8M6FRATB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2470 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.050347 |
| 10+： | ￥9.775307 |
| 100+： | ￥7.491568 |
| 500+： | ￥5.921852 |
| 1000+： | ￥4.737481 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.05