FDMB3900AN
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 23 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 0.8 mm
长度 3 mm
宽度 1.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 67 mg
FDMB3900AN 同类别型号
注
FDMB3900AN品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
FDMB3900AN
型号：FDMB3900AN
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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