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HS8K1TB

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
HS8K1TB
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
30V NCH+NCH POWER MOSFET
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.833733 5.83
10 5.141186 51.41
100 3.942603 394.26
500 3.116447 1558.22
1000 2.493162 2493.16

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 11 A

漏源电阻 11.8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 6 nC, 7.4 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2.9 ns, 3.2 ns

上升时间 4.5 ns, 5.2 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 19.2 ns, 19.7 ns

典型接通延迟时间 8.2 ns, 8.4 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 HS8K1

单位重量 50.585 mg

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HS8K1TB

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型号:HS8K1TB

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.833733
10+: ¥5.141186
100+: ¥3.942603
500+: ¥3.116447
1000+: ¥2.493162

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