HS8K1TB
库存 ：4480
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.795896 | ￥10.80 |
| 10 | ￥9.520016 | ￥95.20 |
| 100 | ￥7.300726 | ￥730.07 |
| 500 | ￥5.770897 | ￥2885.45 |
| 1000 | ￥4.616717 | ￥4616.72 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 11.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 6 nC, 7.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.9 ns, 3.2 ns
上升时间 4.5 ns, 5.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.2 ns, 19.7 ns
典型接通延迟时间 8.2 ns, 8.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 HS8K1
单位重量 50.585 mg
HS8K1TB 同类别型号
注
HS8K1TB
型号：HS8K1TB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：4480 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.795896 |
| 10+： | ￥9.520016 |
| 100+： | ￥7.300726 |
| 500+： | ￥5.770897 |
| 1000+： | ￥4.616717 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.80